收藏本站
MTD6N15
2000
16
1600
T J = 25 ° C
V GS = 0
12
T J = 25 ° C
I D = 6 A
75 V
120 V
1200
800
8
V DS = 50 V
400
V DS = 0
C iss
4
C oss
0
15
10
5
0
5
10
15
20
25
C rss
30
35
0
0
4
8
12
16
20
V GS
V DS
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
Figure 12. Gate Charge versus
Gate ? To ? Source Voltage
RESISTIVE SWITCHING
V DD
t on
t off
R L
V out
t d(on)
OUTPUT, V out
t r
90%
t d(off)
t f
90%
V in
INVERTED
PULSE GENERATOR
z = 50 W
DUT
10%
R gen
50 W
50 W
INPUT, V in
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 13. Switching Test Circuit
http://onsemi.com
5
Figure 14. Switching Waveforms
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MTD6N20ET4 MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
MTD6P10E MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
MTD8000N4-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600N-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600N4-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600T-T PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
MTD8600T4-T PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
MTE1081C INFRARED EMITTER 3MM 810NM
相关代理商/技术参数
MTD6N15T4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N15T4GV 功能描述:MOSFET Single N-Ch 150V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK
MTD6N20E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MTD6N20E1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MTD6N20ET4 功能描述:MOSFET 200V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20ET4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20ET5G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube